6.2 防雷区和防雷击电磁脉冲
6.2.1 防雷区的划分应符合下列规定：
1 本区内的各物体都可能遭到直接雷击并导走全部雷电流，以及本区内的雷击电磁场强度没有衰减时，应划分为LPZOA区。
2 本区内的各物体不可能遭到大于所选滚球半径对应的雷电流直接雷击，以及本区内的雷击电磁场强度仍没有衰减时，应划分为LPZOB区。
3 本区内的各物体不可能遭到直接雷击，且由于在界面处的分流，流经各导体的电涌电流比LPZOB区内的更小，以及本区内的雷击电磁场强度可能衰减，衰减程度取决于屏蔽措施时，应划分为LPZ1区。
4 需要进一步减小流入的电涌电流和雷击电磁场强度时，增设的后续防雷区应划分为LPZ2···n后续防雷区。
6.2.2 安装磁场屏蔽后续防雷区、安装协调配合好的多组电涌保护器，宜按需要保护的设备的数量、类型和耐压水平及其所要求的磁场环境选择（图6.2.2）。
（a）采用大空间屏蔽和协调配合好的电涌保护器保护
注：设备得到良好的防导入电涌的保护，U2大大小于U0和I2大大小于I0，以及H2大大小于H0防辐射磁场的保护。
（b）采用LPZ1的大空间屏蔽和进户处安装电涌保护器的保护
注：设备得到防导入电涌的保护，U1小于U0和I1小于I0，以及H1小于H0防辐射磁场的保护。
（d）仅采用协调配合好的电涌保护器保护
注：设备得到防线路导入电涌的保护，U2大大小于U0和I2大大小于I0，但不需防H0辐射磁场的保护。
图6.2.2 防雷击电磁脉冲
MB—总配电箱；SB—分配电箱；SA—插座
6.2.3 在两个防雷区的界面上宜将所有通过界面的金属物做等电位连接。当线路能承受所发生的电涌电压时，电涌保护器可安装在被保护设备处，而线路的金属保护层或屏蔽层宜首先于界面处做一次等电位连接。
注：LPZOA与LPZOB区之间无实物界面。
条文说明
6.2 防雷区和防雷击电磁脉冲
6.2.1 将需要保护的空间划分为不同的防雷区，以规定各部分空间不同的雷击脉冲磁场强度的严重程度和指明各区交界处的等电位连接点的位置。
各区以在其交界处的电磁环境有明显改变作为划分不同防雷区的特征。
通常，防雷区的数越高，其电磁场强度越小。一建筑物内电磁场会受到如窗户这样的洞的影响和金属导体(如等电位连接带、电缆屏蔽层、管子)上电流的影响以及电缆路径的影响。
将需要保护的空间划分成不同防雷区的一般原则见图15。
图15 将一个需要保护的空间划分为不同防雷区的一般原则
6.2.2 图6.2.2引自IEC 62305—4:2010第14页、第15页的图2。
雷击对建筑物内电气系统和电子系统的有害影响简介于下。
侵害源：雷电流及其相应磁场是原始侵害源，磁场的波形与雷电流的相同。涉及保护时，雷击电场的影响通常是次要的。
原始侵害源是LEMP。根据防雷建筑物的不同类别(第一类、第二类、第三类)按本规范附录F的表F.0.1-1、表F.0.1-2和表F.0.1-3选取Io。
Io正极性首次冲击电流波10／350μs，Io分别为：200kA、150kA、100kA；负极性首次冲击电流波1／200μs，Io分别为：100kA、75kA、50kA；负极性首次以后(后续)的冲击电流波0.25／100μs，Io分别为：50kA、37．5kA、25kA。
H o冲击电磁波10／350μs、1／200μs和0.25／100μs，从Io导出。
被害物：安装在建筑物内或其上的建筑物内系统，仅具有有限的耐电涌和耐磁场水平，当其遭受首次雷击作用及其以后(后续)电流的磁场作用下时，可能被损害或错误地运行。安装在建筑物外并处在暴露位置的系统，由于遭遇的电涌可能达到直接雷击的全电流和没有衰减的磁场，可能遇到的风险较大。安装在建筑物内的系统，由于遭遇的磁场是剩下的衰减磁场和内部的电涌是传导和感应而产生的，以及外部电涌是经引入线路传导而来的，可能遇到的风险较小。
被害物(设备)的耐受水平：
1 220／380V设备的耐冲击电压水平Uw见本规范表6.4.4，它引自《低压电气装置——第4-44部分：安全防护——电压骚扰和电磁骚扰防护》IEC 60364—4-44:2007第18页的表44.B。
2 电信装置的耐受水平参见ITU-T建议标准《电信中心电信设备耐过电压过电流的能力》K．20:2003(Resistibility of telecommunication equipment installed in a telecommunications center to overvoltages and overcurrents)和《用户电信设备耐过电压过电流的能力》K．21:2003(Resistibility of telecommunication equtpment installed in customer premises to overvoltages and overcurrents)
3 一般通用设备的耐受水平在其产品说明书有规定或可做以下试验：
1)防传导电涌采用IEC 61000—4—5:2005 Ed.2.0《Electromagnetic compatibility(EMC)——Part 4—5:Test and Measurement techniques—Surge immunity test，电磁兼容(EMC)，第4—5部分：试验和测量技术——电涌(冲击)抗扰度试验》标准，耐电压水平的试验Uoc为0.5-1-2-4kV(冲击电压波形1.2／50μs)和耐电流水平的试验Isc为0.25-0.5-1-2kA(冲击电流波形8／20μs)。
有些设备为了满足上述标准的要求，可能在设备内装有SPD，它们可能影响协调配合的要求。
上述标准的国家标准为《电磁兼容试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验》GB／T 17626．5—1999(等效IEC 61000—4—5：1995）
2)防磁场(强度)采用IEC 61000—4—9:2001 Ed.1.1《Electromagnetic compatibility(EMC)——Part 4——9：Test and Measurement techniques—Pulse magnetic field immunity test，电磁兼容(EMC)，第4—9部分：试验和测量技术——脉冲磁场抗扰度试验》标准，用以下磁场强度做试验：100—300—1000A／m(8／20μs波形)。
上述标准的国家标准为《电磁兼容试验和测量技术 脉冲磁场抗扰度试验》GB／T 17626．8—1998(等效IEC 61000—4—9:1993)。
并采用IEC 61000—4—10: 2001 Ed．1．《Electromagnetic compatibility(EMC)——Part 4-10：Test and measurement techniques—Damped oscillatory magnetic field immunity test，电磁兼容(EMC)，第4—10部分：试验和测量技术——阻尼振荡磁场抗扰度试验》标准，用以下磁场强度做试验：10-30-100A／m(在1MHz频率条件下)。
上述标准的国家标准为《电磁兼容试验和测量技术 阻尼振荡磁场抗扰度试验》GB／T 17626．9—1998(等效IEC 61000—4—10: 1993)。
IEC 61000—4—9和IEC 61000—4—10规定试验的波形是阻尼振荡波，可用于确定设备耐受由首次正极性雷击和后续雷击磁场波头陡度所产生的磁场强度。
- 上一节：6.1 基本规定
- 下一节：6.3 屏蔽、接地和等电位连接的要求