D.1 建筑物附近雷击的情况下防雷区内磁场强度的计算

D.1.1 无屏蔽时所产生的磁场强度H₀，即LPZ0区内的磁场强度，应按公式(D.1.1)计算：

    式中：i₀——雷电流(A)；
             S_a——从雷击点到屏蔽空间中心的距离(m)(图D.1.1)。

图D.1.1  邻近雷击时磁场值的估算

D.1.2 当建筑物邻近雷击时，格栅型空间屏蔽内部任意点的磁场强度应按下列公式进行计算：

    式中：H₀——无屏蔽时的磁场强度(A／m)；
              H_n、H_n+1——分别为LPZn和LPZn+1区内的磁场强度(A／m)；
              SF——按表D.1.3的公式计算的屏蔽系数(dB)。
    这些磁场值仅在格栅型屏蔽内部与屏蔽体有一安全距离为 d_s／1的安全空间内有效，安全距离可按下列公式计算：

    式中：SF——按表D.1.3的公式计算的屏蔽系数(dB)；
                 w——空间屏蔽网格宽度(m)。
D.1.3 格栅形大空间屏蔽的屏蔽系数SF，按表D.1.3的公式计算。

表D.1.3  格栅型空间屏蔽对平面波磁场的衰减

    注：1 适用于首次雷击的磁场；
           2 适用于后续雷击的磁场；
           3 磁导率μ_r≈200；
           4 公式计算结果为负数时，SF=0；
           5 如果建筑物安装有网状等电位连接网络时，SF增加6dB；
           6 w是格栅型空间屏蔽网格宽度(m)；r是格栅型屏蔽杆的半径(m)。